シリコン膜からの熱放射の倍増に成功 ――半導体デバイスの排熱問題の解決に期待―― (IMAGE)

Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

シリコン膜からの熱放射の倍増に成功 ――半導体デバイスの排熱問題の解決に期待――

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表面をわずかに酸化させたシリコン構造から、表面フォノンポラリトン によって面内方向に強い熱放射が起こることを示す概念図

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東京大学 生産技術研究所

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