image: (a) 层霍尔效应示意图 (b) 层霍尔效应中潜伏的贝利曲率 (c,d) 在垂直外电场的调控下，材料中上下表面电子自发的偏向不同方向运动 view more
Credit: ©《中国科学》杂志社
近日，《国家科学评论》杂志在线发表了南方科技大学卢海舟教授和刘奇航教授团队的研究成果。该研究团队揭示了反铁磁拓扑绝缘体中的层霍尔效应是由其中潜伏的层贝里曲率诱导产生。
层霍尔效应是指在垂直外电场的调控下，材料中的上下表面电子自发的偏向不同方向运动[图(c,d)]。研究人员在对层霍尔效应的机制进行分析和研究时，发现层霍尔效应是由潜伏的贝利曲率所诱导[图(b)]。他们发现外在电场不是层霍尔效应的必要条件[图(a)]。因此该研究团队提出了一种不需要外在电场就能探测层霍尔效应的手段。他们还提出实验中增强层霍尔效应的不同方法。
基于对层霍尔效应的进一步研究，该研究团队提出了更多能够实现该效应的拓扑材料。此外，对应的潜伏物理图像适用于更多的自由度，例如自旋和轨道等等。
研究详情请见原文：
Layer Hall effect induced by hidden Berry curvature in antiferromagnetic insulators
https://doi.org/10.1093/nsr/nwac140
Journal
National Science Review