image: Researchers at The University of Tokyo create vertical field-effect transistors that can be used to store information in a 3D array, which may lead to faster and more energy-efficient data storage view more
Credit: Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
IoT家電などのIoTデバイスで取得するデータ量は年々増大し、クラウドサーバーでのデータトラフィックを逼迫していきます。ビッグデータを有効に利活用するためには、IoTデバイスでも大量のデータを蓄積し、AIアルゴリズムによる情報処理が求められてきます。大容量のストレージメモリとしてはNANDフラッシュメモリが一般的ですが、消費電力が大きくIoTデバイスへの搭載には不向きです。強誘電体トランジスタ（FeFET）メモリは、強誘電体の性質から消費電力が小さいですが、NANDフラッシュメモリのように高密度な三次元垂直チャネル構造の実現可能性は明らかになっていませんでした。
そこで、東京大学 生産技術研究所の小林 正治 准教授と奈良先端科学技術大学院大学の浦岡 行治 教授らの共同研究グループは、酸化物半導体である酸化インジウム（In2O3）を従来のスパッタ法に代わる原子層堆積（ALD）法で成膜する技術を開発し、三次元垂直チャネル型の強誘電体および反強誘電体トランジスタメモリの開発に成功しました。
本メモリデバイス技術は高密度かつ低消費電力であるため、IoTデバイスのストレージメモリに用いることで、ビッグデータを利活用する社会サービスの展開が期待されます。
Article Title
A Vertical Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET with ALD InOx and Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density Memory
Article Publication Date
12-Jun-2022