固态自旋色心是量子信息处理的重要研究平台,金刚石氮空位(NV)色心是其突出的代表。自从1997年德国研究团队报道了室温下单个金刚石NV色心的探测以来,金刚石NV色心在量子计算、量子网络和量子传感等方面都取得了重要进展。
近年来,为了利用更加成熟的材料加工技术和器件集成工艺,人们开始关注其他半导体材料中的相似色心。其中碳化硅中的自旋色心,包括硅空位色心(缺失一个硅原子)和双空位色心(缺失一个硅原子和一个近邻碳原子),因其优异的光学和自旋性质引起了人们广泛的兴趣。
室温下单个硅空位色心的相干操控虽然已经实现,但其自旋读出对比度只有2%,而且天然块状碳化硅材料中单个硅空位色心的单光子发光亮度每秒仅有10 k个计数,如此低的自旋读出对比度和单光子发光亮度极大地限制了其在室温下的实际应用。而室温下单个双空位色心的相干操控还未见报道。
最近,中国科学技术大学郭光灿院士团队,李传锋、许金时研究组在《国家科学评论》(National Science Review)发表研究论文,在国际上首次实现了单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温环境下的高对比度读出和相干操控。这是继金刚石NV色心后第二种在室温下同时具有高自旋读出对比度和高单光子发光亮度的固态色心,该成果对发展基于碳化硅这种成熟半导体材料的量子信息技术具有重要意义。
研究组利用他们之前所发展的离子注入制备碳化硅缺陷色心的技术 [ACS Photonics 6, 1736-1743 (2019); PRL 124, 223601 (2020)] 制备了双空位色心阵列,进一步利用光探测磁共振技术在室温下实现单个双空位色心的自旋相干操控。
研究发现其中一类双空位色心(称为PL6)的自旋读出对比度为30%,而且单光子发光亮度每秒可达150 k个计数。这两项重要指标相比碳化硅中硅空位色心均提升了一个数量级,并且单色心电子自旋在室温下的相干时间长达23微秒。
接着,作者还实现了碳化硅色心中单个电子自旋与近邻核自旋的耦合与探测,为下一步构建基于碳化硅自旋色心体系的室温固态量子存储与可扩展的固态量子网络奠定基础。
该工作第一次展现了碳化硅自旋色心在室温下具有与金刚石NV色心相媲美的优良性质,为基于碳化硅的量子器件开辟了一个新的发展方向。此项工作得到了科技部、国家自然科学基金委、中国科学院、中国博士后科学基金委、安徽省和中国科学技术大学的资助。
文章信息:
Room temperature coherent manipulation of single-spin qubits in silicon carbide with a high readout contrast
https://doi.org/10.1093/nsr/nwab122
Journal
National Science Review