image: Schematics of structures for three kinds of spin-orbit-torque-induced magnetization scheme. (a) The first previous structure where the magnetization is perpendicular to the film plane. (b) The second previous structure where the magnetization is in-plane and orthogonal to channel current. (c) The new structure where the magnetization is in-plane and collinear with the current. view more
Credit: Shunsuke Fukami
内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の佐橋政司プログラム・マネージャーの研究開発プログラム、および文部科学省「未来社会実現のためのICT基盤技術の研究開発」の一環として、東北大学電気通信研究所の大野英男教授（同大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター（以下、CSIS）・センター長、国際集積エレクトロニクス研究開発センター（以下、CIES）・教授、原子分子材料科学高等研究機構・主任研究者兼任）、電気通信研究所の深見俊輔准教授（CSIS, CIES・准教授兼任）らは、超高速動作が可能な新方式の磁気メモリ素子を開発し、その動作実証に成功しました。
本研究成果は、2016年3月21日（英国時間）に英国科学誌「Nature Nanotechnology」のオンライン速報版で公開されました。
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東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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Fax：022-217-5555
E-mail：s-fukami*csis.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）
＜報道担当＞
東北大学 電気通信研究所 総務係
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Fax：022-217-5420
E-mail：somu*riec.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）
Journal
Nature Nanotechnology