image: 图中介绍了常用的调节肖特基势垒的方法，包括金属的功函数、界面态、镜像力降低效应、外部电场、表面改性、光照和压电电子学效应 view more
Credit: ©《中国科学》杂志社
近日，《科学通报》杂志在线发表了中国科学院北京纳米能源与系统研究所孟建平副研究员和李舟研究员、新加坡国立大学李正国教授的综述论文，该综述总结了静态和动态调节肖特基势垒的方法，包括金属的功函数、界面态、表面改性、镜像降低效应、外部电场、光照和压电电子学效应。此外，综述中还讨论了克服界面态引起的费米能级钉扎效应的策略，包括范德华接触和一维边缘金属接触。最后，作者提出了未来发展的挑战，包括肖特基势垒高度的精确测量、费米能级钉扎、势垒调节方法的稳定性、透明类金属电极接触、低电阻欧姆接触等。
研究详情请见原文：
Adjustment methods of Schottky barrier height in one- and two-dimensional semiconductor devices
https://doi.org/10.1016/j.scib.2024.03.003
Journal
Science Bulletin