图：应变诱发的磁涡旋簇 (IMAGE)
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（a）模拟显示了0.5 μm宽的La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）线上的应力释放，纳米线阵列是通过对在LaAlO3（LAO）衬底上生长的LSMO薄膜进行纳米刻蚀技术来实现的；（b）零场冷却（ZFC）后在4 K下测得的MFM图像；（c）纳米线中磁畴的相场模拟；（d）对该LSMO纳米线的应变分析，该应变显示为不同宽度的归一化的函数（左图），这些纳米线相应的模拟磁畴结果示于右图；（e）LSMO / LAO的高角度环形暗场（HAADF）扫描隧道电子显微镜（STEM）图像；（f）基于磁涡旋团簇状态而设计的原型器件示意图。
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