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含两个Bi空位缺陷Sn2Bi的STM图(a)及相同位置下的微分电导map(b)。(c) Sn2Bi上Bi空位缺陷的模型图 。 (d-e) 分别跨越两个相同类型缺陷（(a)中的A1和A2）的线路径微分电导谱。其中，垂直虚线标记了A1、A2缺陷的位置，点横线代表了计算得到的对应每一个充电峰的针尖引起的能带弯曲，弯曲能量如图标注所示。 (c) 由针尖引起的能带弯曲计算所得到的A1和A2分别对应充电能级能量的分布情况。

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