比较使用相同 C12S3Br6 分子源在 SiO2/Si 和 Cu 基板上形成的纤维和薄膜 (IMAGE)

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比较使用相同 C12S3Br6 分子源在 SiO2/Si 和 Cu 基板上形成的纤维和薄膜

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(a) 具有两个加热区的气相沉积工艺示意图；(b) 在 SiO2/Si 基板上形成的纤维的扫描电子显微镜 (SEM) 图像； (c) 比较纤维和源的 XRD 数据；(d) 纤维的 TEM 图像； (e) (d) 中纤维的相应选区电子衍射 (SAED) 图案；(f) 薄膜转移到 SiO2/Si 衬底上的光学图像，插图：Si/SiO2 晶片上的 5 cm × 5 cm 薄膜；(g) 带有边缘的薄膜的光学闭合图像，插图：薄膜样品的相应 SEM 图像；(h) SiO2/Si 衬底上带有边缘的薄膜的 AFM 高度图像，薄膜的厚度约为 2.81 nm（插图）；(i) SiO2/Si上薄膜（顶部红色）和源（底部蓝色）的 XPS 光谱，显示薄膜中不存在 Br 基团。

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