Public Release: 

次世代メモリSTT-MRAMのMTJ特性評価ソリューションを製品化

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)とキーサイト・テクノロジーの共同研究成果に基づき、次世代メモリSTT-MRAMのMTJ

Tohoku University

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IMAGE: Keysight NX5730A High Throughput 1 ns Pulsed IV Memory Test Solution view more 

Credit: Keysight Technologies Inc.

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(センター長:遠藤哲郎 以下CIES)とキーサイト・テクノロジー合同会社(職務執行者社長:チエ ジュン 本社:東京都八王子市高倉町9番1号 以下キーサイト)は次世代メモリーSTT-MRAMの測定技術を共同で研究しており、その成果を基にキーサイトは、次世代メモリーSTT-MRAMのMTJ特性評価ソリューションを発表しました。

共同研究の概要

CIESが運営する国際産学連携コンソーシアムでは、国際産学共同研究を実施することにより、集積エレクトロニクス機器の飛躍的省エネを実現する革新的な基盤技術群を創出することを目標として、77テーマの研究開発を推進しています。7テーマのうちの1つである遠藤哲郎教授を代表とする「不揮発性ワーキングメモリを目指したSTT-MRAMとその製造技術の研究開発」においては、飛躍的な省エネルギーシステムを実現する不揮発性ワーキングメモリの実用化を促進し、低炭素・省エネルギー社会の実現に貢献することを目的とするスピントロニクス技術とシリコンCMOS技術の融合によるSTT-MRAMとその製造を、産学が連携して開発してきました。

 キーサイトは、この「不揮発性ワーキングメモリを目指したSTT-MRAMとその製造技術の研究開発」における測定技術開発分野に参画し、CIESが提供するSTT-MRAMを活用して、CIESと共にSTT-MRAMの測定技術に関して研究開発を行って参りました。特に、STT-MRAMの測定技術に不可欠な高速な信号生成技術や高精度の測定技術等、様々な有用な評価技術を開発してきました。

キーサイト 山本正樹 半導体テストソリューション事業部長コメント

「キーサイトのNX5730Aに関するCIESとの開発活動は、2015年3月に大きな成果として発表されました。お客様は、時間がかかるビット・エラー・レート・テスト、不正確な書込電圧、パルス幅が1nsなどの高速パルスでのIV測定の困難さなど、従来のラック・アンド・スタックベースのテスト環境におけるMTJ特性評価の様々な課題を経験しています。 NX5730Aはお客様のMTJ特性評価ニーズに直接対応したものであり、NX5730Aは既に多くのメモリ研究施設で使用されています。」と述べています。

CIES 遠藤哲郎 センター長コメント

「東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターは、キーサイトとの共同研究の下、引き続き先進技術の開発を進めています。」

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