次世代相変化メモリーの新材料を開発 (IMAGE)

Tohoku University

次世代相変化メモリーの新材料を開発

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図 (a) 本研究で作製した記録素子の動作特性。Cr2Ge2Te6では、低抵抗状態がアモルファス相、高抵抗状態が結晶相を呈する。尚、Cr2Ge2Te6では30ns、GSTでは50nsでの電圧パルス幅で動作を行った。 (b) 図(a)の結果より見積もられたデータ書き換えに必要な動作エネルギー。

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Shogo Hatayama

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