二维沟道材料孤立能带特征的形成机制及亚热电子输运性能 (IMAGE)

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二维沟道材料孤立能带特征的形成机制及亚热电子输运性能

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左边两图中显示，“孤立能带”可以通过增加轨道能量差或减少金属M元素和非金属X元素之间的轨道重叠来形成。在右图中，根据这一指导原则，通过高通量计算确定了一类二维“孤立能带”半导体材料并在MOSFET中实现低于60 mV/dec的亚阈值摆幅，这为设计和构筑下一代高能效二维纳米电子器件提供了新的机遇。

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